| 全部作者 | 陈 美汝 |
|---|---|
| 论文名称 | Investigation on Reducing Dislocation Density of AlN Films Using AlN Buffer Layers |
| 研讨会名称 | International Electron Devices & Materials Symposium 2017 (IEDMS 2017) |
| 举行地点 | 中华民国新竹市 |
| 会议开始时间 | 2017-09-06 |
| 会议结束时间 | 2017-09-08 |
| 作者顺序 | 第一作者 |
| 全部作者 | 陈 美汝 |
|---|---|
| 论文名称 | Investigation on Reducing Dislocation Density of AlN Films Using AlN Buffer Layers |
| 研讨会名称 | International Electron Devices & Materials Symposium 2017 (IEDMS 2017) |
| 举行地点 | 中华民国新竹市 |
| 会议开始时间 | 2017-09-06 |
| 会议结束时间 | 2017-09-08 |
| 作者顺序 | 第一作者 |
| 健行科技大学 Chien Hsin University, No.229, Jianxing Rd., Zhongli Dist., Taoyuan City 32097, Taiwan(R.O.C.) 桃园市中坜区健行路229 号 电话：03-4581196 健行科技大学 电资学院7 楼D703 室 分机5301 建议使用 1024*768 分辨率已达本站最佳浏览效果 意见反映信箱:eedept@uch.edu.tw |
 
|
 |