| 2023 绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
以溅镀法沉积氮化镓薄膜于MoS2/miscut-Sapphire基板之研究 |
第四(以上)作者 |
2023.11.17 ~ 2023.11.17 |
| 2022 绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
以砷化镓靶材沉积氮化镓薄膜于蓝宝石基板之研究 |
第四(以上)作者 |
2022.11.11 ~ 2022.11.11 |
| 2021 绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
在MoS2/ Sapphire基板上低温沉积氮化铝磊晶薄膜之研究 |
第三作者 |
2021.11.19 ~ 2021.11.19 |
| 2020 网络及资讯安全研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
利用矽基板研制金属-半导体-金属绿光侦测器之研究 |
第二作者 |
2020.06.03 ~ 2020.06.03 |
| 2019绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
在Al(111)/sapphire基板上以二阶段法低温沉积氮化铝磊晶薄膜之研究 |
第一作者 |
2019.11.08 ~ 2019.11.08 |
| 2018 绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
单晶氮化铝薄膜于蓝宝石基板上低温沉积制程之最佳化研究 |
第二作者 |
2018.11.16 ~ 2018.11.16 |
| 2017绿色能源研讨会 |
中华民国桃园市中坜区 |
以二阶段法低温成长低差排密度氮化铝薄膜之研究 |
第一作者 |
2017.12.15 ~ 2017.12.15 |
| The 6th Asian Symposium on Advanced Materials: Chemistry, Physics & Biomedicine of Functional and Novel Materials(ASAM-6) |
越南社会主义共和国河内市(Hanoi) |
Growth and characterization of AlxGa1-xN for the high speed and high power device application |
第四(以上)作者 |
2017.09.27 ~ 2017.09.30 |
| International Electron Devices & Materials Symposium 2017 (IEDMS 2017) |
中华民国新竹市 |
Investigation on Reducing Dislocation Density of AlN Films Using AlN Buffer Layers |
第一作者 |
2017.09.06 ~ 2017.09.08 |
| 2015年中华民国物理年会 |
中华民国新竹市 |
低温溅镀单晶氮化铝薄膜于氧化镁基板之特性与成长机制探讨 |
第四(以上)作者 |
2015.01.28 ~ 2015.01.30 |
| International Electron Devices and Materials Symposium 2014 (IEDMS 2014) |
中华民国花莲市 |
Effects of oxygen content on the characteristics of a-IGZO thin film |
第二作者 |
2014.11.20 ~ 2014.11.21 |
| 2014 绿色能源研讨会 |
中华民国桃园县中坜市 |
制程氧气含量对a-IGZO薄膜特性之影响 |
第三作者 |
2014.10.17 ~ 2014.10.17 |
| 2013 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS 2013) |
中华民国南投县 |
Epitaxial AlN thin films grown on MgO substrates using Helicon sputtering system |
第三作者 |
2013.11.28 ~ 2013.11.29 |
| 2013 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS 2013) |
中华民国南投县 |
ZnO piezoelectric transducers on ITO/PET substrates using RF magnetron sputtering |
第三作者 |
2013.11.28 ~ 2013.11.29 |
| 102年中国材料科学学会年会 |
中华民国桃园县中坜市 |
以回旋溅镀系统在蓝宝石基板成长矽掺杂氮化铝薄膜之特性研究 |
第四(以上)作者 |
2013.10.18 ~ 2013.10.19 |
| 2012 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS 2012) |
中华民国高雄市 |
Characterization Study of AlN Metal-Semiconductor-Metal DUV Detectors in Vacuum |
第三作者 |
2012.11.29 ~ 2012.11.30 |
| 2012年中国材料科学学会年会 |
中华民国云林县虎尾镇 |
以回旋溅镀系统于蓝宝石基板沉积矽掺杂氮化铝薄膜之研究 |
第三作者 |
2012.11.23 ~ 2012.11.24 |
| International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) 2011 |
台湾，中华民国Taipei(台北市) |
Si-doped AlN Thin Film Prepared by Helicon Sputtering System |
第三作者 |
2011.11.17 ~ 2011.11.18 |
| International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS) 2011 |
台湾，中华民国Taipei(台北市) |
Characteristic Study of ZnO Piezoelectric Transducers on PET Substrate |
第三作者 |
2011.11.17 ~ 2011.11.18 |
| 2011 绿色能源研讨会 |
台湾，中华民国桃园县中坜市 |
氧化锌压电换能器之特性研究 |
第三作者 |
2011.10.14 ~ 2011.10.14 |
| the 5th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications |
台湾，中华民国台中 |
Deep UV Sensors Using Surface Acoustic Wave Oscillators Fabricated on Single Crystalline AlN Films Grown on Sapphire Substrates |
第二作者 |
2010.06.15 ~ 2010.06.17 |
| 九十八年中国材料科学学会年会 |
台湾，中华民国花莲县 |
Ⅲ族氮化物金属-半导体-金属紫外光传感器研制之响应速度与结构特性研究 |
第三作者 |
2009.11.26 ~ 2009.11.28 |
| 九十八年中国材料科学学会年会 |
台湾，中华民国花莲县 |
二氧化钛薄膜之溅镀沉积机制及特性研究 |
第三作者 |
2009.11.26 ~ 2009.11.28 |
| 九十八年中国材料科学学会年会 |
NATTWN-台湾，中华民国花莲县 |
III族氮化物金属-半导体-金属紫外光传感器研制之响应速度与结构特性研究 |
第三作者 |
2009.11.26 ~ 2009.11.28 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
NATTWN-台湾，中华民国桃园县 |
Low-temperature deposition of AlN on sapphire substrates using Helicon Sputtering System |
第一作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
NATTWN-台湾，中华民国桃园县 |
Fabrication and characteristics study of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors based on III-Nitrides |
第三作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
台湾，中华民国桃园县 |
Low-temperature deposition of AlN on sapphire substrates |
第一作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
台湾，中华民国桃园县 |
Fabrication and characteristics study of Metal-Semiconductor-Metal |
第三作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
台湾，中华民国桃园县龟山乡 |
Fabrication and characteristics study of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors based on III-Nitrides |
第三作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009 International Electron Devices and Materials Symposia |
台湾，中华民国桃园县龟山乡 |
Low-temperature deposition of AlN on sapphire substrates using Helicon Sputtering System |
第一作者 |
2009.11.19 ~ 2009.11.20 |
| 2009第八届台湾电力电子研讨会暨展览会 |
中华民国 台湾中坜市 |
SAW devices fabricated on single crystal AlN on sapphire substrates using helicon sputtering system |
第二作者 |
2009.09.04 ~ 2009.09.04 |
| 第8届电力电子研讨会 |
NATTWN-台湾，中华民国中坜市 |
SAW devices fabricated on single crystal AlN on sapphire substrates using helicon sputtering system |
第二作者 |
2009.09.04 ~ 2009.09.04 |
| 2008 International Electron Devices and Materials Symposia |
NATTWN-台湾，中华民国台中 |
Ⅲ-nitride based metal-semiconductor-metal UV detectors |
第三作者 |
2008.11.28 ~ 2008.11.29 |
| 2008 International Electron Devices and Materials Symposia |
NATTWN-台湾，中华民国台中 |
Fabrication study of UV detectors using III-Nitride for SAW oscillators |
第三作者 |
2008.11.28 ~ 2008.11.29 |
| 2008 International Electron Devices and Materials Symposia |
NATTWN-台湾，中华民国台中 |
THE DEPOSITION MECHANISM STUDY OF ALN/GAN HETEROSTRUCTURES GROWN BY LOW-TEMPERATURE HELICON SPUTTERING SYSTEM |
第一作者 |
2008.11.28 ~ 2008.11.29 |
| 2008年第六届海峡两岸复合材料研讨会 |
NATTWN-台湾，中华民国台北 |
Ⅲ族氮化物金属-半导体-金属紫外光传感器之特性研究 |
第三作者 |
2008.11.21 ~ 2008.11.22 |
| 2008年第六届海峡两岸复合材料研讨会 |
NATTWN-台湾，中华民国台北 |
三族氮化物表面声波元件于紫外光传感之研究 |
第三作者 |
2008.11.21 ~ 2008.11.22 |
| 2008年第六届海峡两岸复合材料研讨会 |
NATTWN-台湾，中华民国台北 |
低温溅镀氮化铝/氮化镓异质接面之沉积机制及特性研究 |
第三作者 |
2008.11.21 ~ 2008.11.22 |
